SOI结构相关论文
本文用两种波长不同的激光——Ar 激光和CO2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶......
本文利用背散射分析技术、扩展电阻测量、高能电子衍射及超高压透射电镜研究了注氧后埋SiO_2层的形成过程以及顶部剩余硅的退火行......
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置......
研究辐射粒子在微米和纳米级靶体内的能量沉积分布规律是深入探索辐射损伤效应产生机制的关键因素之一。由此微剂量学广泛应用于辐......
为减少自加热效应 ,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的 SOI新结构 .高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表......
研究了一种具有浮栅结构的SOI LDMOS(FGSOI LDMOS)器件模型,并分析了该结构的耐压机理,通过Silvaco TCAD软件对该结构进行仿真优化......
采用无质量分析器的离子注入机,以低能量低剂量注水的方式代替常规SIMOX注氧制备SOI材料。测试结果表明,此技术成功地制备了界面陡......
研究了一种具有OB(Oxide By-passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进......
论述了晶片键合技术的发展概况，基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶生键合技术在微电子学领域中......
在高温外延气氛下，ＳＩＭＯＸ结构会被损伤，退化，本文用卢瑟福背散射技术分析了这种退化，指出这种退化主要是高温下氢对表层硅的反应剥蚀及氢经表......
本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个......
本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力......
如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器，一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上，设计了压力敏感芯片结构，并基于MEMS工艺......
用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度......
采用交错隐式算子分裂（ADI）算法，设计、实现了一种高速、高精度的波束传播方法（BPM）来模拟SOI波导中不同偏振态的光传输，研究了PML边界层......
本文利用椭偏光谱法测量了能量为200keV、剂量为2×10~(18)cm~(-2)的~(16)O~+注入Si以及退火样品.应用多层介质膜模型和有效介......
提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT)构成适合在低电压下工作的新型集成电路,该电路比CMOS电路具有更大的电流......
本文利用背散射分析技术、扩展电阻测量、高能电子衍射及超高压透射电镜研究了注氧后埋SiO_2层的形成过程以及顶部剩余硅的退火行......
SOI（silicon on insulator，绝缘层上的硅）技术和SiGe（silicon germanium，锗硅）技术都是微电子领域的前沿技术，SiGe-OI（SiGe-on-insulator......
随着集成技术进入亚微米阶段,传统的硅基集成电路由于存在闩锁等不利因素,使其应用受到了限制.而基于SOI材料的微电子技术是能突破......
采用无质量分析器的离子注入机，以低能量低剂量注水的方式替代常规SIMOX注氧制备SOI材料，测试结果表明，此技术成功地制备了界面陡峭，平......
非全耗尽SOI/MOS晶体管由于存在“Kink效应”而限制了它的应用范围。本文考虑了沟道夹断区的碰撞电离和横向寄生晶体管效应,对浮置......
本文考虑了瞬态的热传导过程,用有限差分方法计算了恒流、脉冲、扫描三种离子注入形成SOI结构时的温升效应。计算结果表明,当能量......
本文对用固相外延工艺在低温(550～600℃)下形成绝缘体上硅结构进行了研究。通过微探针(μ)反射高能电子衍射观察发现,固相外延(SPE)......
本文研究了在常压外延系统中,利用 SiCl_4/H_2/Br_2体系在SiO_2上外延横向生长(ELO)单晶硅技术.比较了Br_2和HCl对硅的腐蚀速率,发......
为减少自加热效应，利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构，高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得......
本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能......
论述了晶片键合技术的发展概况、基本原理和基本方法，并对键合晶片的表征技术作了介绍。最后着重介绍了晶片键合技术在微电子学领域......
FD-SOI（全耗尽绝缘硅）是指一种平面晶体管结构。这种平面架构是通过在绝缘硅片晶圆超薄的绝缘氧化埋层（BOX）上再生长一层超薄的单晶硅......
随着光通信的迅速发展,耦合器件在光通信系统中的应用愈加广泛,对于高性能耦合器件的研究也显得尤为重要。耦合器在集成光学领域通......
本文主要针对SOI器件结构展开研究,对于SOIMOS器件的结果和特性进行分析,讨论,并利用SILVACO TCAD软件来对SOI的器件结构与性能进......
